型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3Pin Super-247906620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
-
品类: MOS管描述: INFINEON IRFP4768PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 250 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 V946610-99¥10.9440100-499¥10.3968500-999¥10.03201000-1999¥10.01382000-4999¥9.94085000-7499¥9.84967500-9999¥9.7766≥10000¥9.7402
-
品类: MOS管描述: D系列功率MOSFET D Series Power MOSFET82805-49¥23.435150-199¥22.4336200-499¥21.8728500-999¥21.73261000-2499¥21.59232500-4999¥21.43215000-7499¥21.3320≥7500¥21.2318
-
品类: MOS管描述: INFINEON IRFP4710PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 5.5 V419210-99¥10.1160100-499¥9.6102500-999¥9.27301000-1999¥9.25612000-4999¥9.18875000-7499¥9.10447500-9999¥9.0370≥10000¥9.0032
-
品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。91825-49¥16.602350-199¥15.8928200-499¥15.4955500-999¥15.39621000-2499¥15.29682500-4999¥15.18335000-7499¥15.1124≥7500¥15.0414
-
品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。82615-49¥19.035950-199¥18.2224200-499¥17.7668500-999¥17.65301000-2499¥17.53912500-4999¥17.40895000-7499¥17.3276≥7500¥17.2462
-
品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC32285-49¥21.235550-199¥20.3280200-499¥19.8198500-999¥19.69281000-2499¥19.56572500-4999¥19.42055000-7499¥19.3298≥7500¥19.2390
-
品类: MOS管描述: N沟道,200V,30A,75mΩ@10V88705-24¥4.711525-49¥4.362550-99¥4.1182100-499¥4.0135500-2499¥3.94372500-4999¥3.85655000-9999¥3.8216≥10000¥3.7692
-
品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP3710PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 57A, TO-247AC 新898310-99¥10.4160100-499¥9.8952500-999¥9.54801000-1999¥9.53062000-4999¥9.46125000-7499¥9.37447500-9999¥9.3050≥10000¥9.2702
-
品类: MOS管描述: INFINEON IRFP150NPBF 晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 42 A, 100 V, 36 mohm, 10 V, 4 V85625-24¥3.280525-49¥3.037550-99¥2.8674100-499¥2.7945500-2499¥2.74592500-4999¥2.68525000-9999¥2.6609≥10000¥2.6244
-
品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。39865-24¥5.629525-49¥5.212550-99¥4.9206100-499¥4.7955500-2499¥4.71212500-4999¥4.60795000-9999¥4.5662≥10000¥4.5036
-
品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 160A 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube907610-99¥11.1600100-499¥10.6020500-999¥10.23001000-1999¥10.21142000-4999¥10.13705000-7499¥10.04407500-9999¥9.9696≥10000¥9.9324
-
品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP064NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 110A, TO-247AC 新95345-24¥5.872525-49¥5.437550-99¥5.1330100-499¥5.0025500-2499¥4.91552500-4999¥4.80685000-9999¥4.7633≥10000¥4.6980
-
品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET **Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能81935-49¥11.735150-199¥11.2336200-499¥10.9528500-999¥10.88261000-2499¥10.81232500-4999¥10.73215000-7499¥10.6820≥7500¥10.6318
-
品类: MOS管描述: N沟道 650V 38A30131-9¥65.872010-99¥63.0080100-249¥62.4925250-499¥62.0915500-999¥61.46141000-2499¥61.17502500-4999¥60.7741≥5000¥60.4304
-
品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能97705-49¥24.780650-199¥23.7216200-499¥23.1286500-999¥22.98031000-2499¥22.83202500-4999¥22.66265000-7499¥22.5567≥7500¥22.4508
-
品类: MOS管描述: INFINEON IPW60R041C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 77.5 A, 600 V, 0.037 ohm, 10 V, 3 V76231-9¥105.409010-99¥100.8260100-249¥100.0011250-499¥99.3594500-999¥98.35121000-2499¥97.89292500-4999¥97.2513≥5000¥96.7013
-
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,Infineon **Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术,如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。812710-99¥10.6680100-499¥10.1346500-999¥9.77901000-1999¥9.76122000-4999¥9.69015000-7499¥9.60127500-9999¥9.5301≥10000¥9.4945
-
品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IHW30N160R2 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 引脚75471-9¥40.174610-99¥37.8695100-249¥36.1571250-499¥35.8937500-999¥35.63031000-2499¥35.33392500-4999¥35.0705≥5000¥34.9058
-
品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。889710-99¥8.7600100-499¥8.3220500-999¥8.03001000-1999¥8.01542000-4999¥7.95705000-7499¥7.88407500-9999¥7.8256≥10000¥7.7964
-
品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGH60N60SMD N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AB封装45965-49¥28.103450-199¥26.9024200-499¥26.2298500-999¥26.06171000-2499¥25.89362500-4999¥25.70145000-7499¥25.5813≥7500¥25.4612
-
品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMD 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚11105-49¥27.459950-199¥26.2864200-499¥25.6292500-999¥25.46501000-2499¥25.30072500-4999¥25.11295000-7499¥24.9956≥7500¥24.8782
-
品类: MOS管描述: N沟道 VDS=1700V VGS=25V/-10V ID=4.9A P=69W51941-9¥63.526010-99¥60.7640100-249¥60.2668250-499¥59.8802500-999¥59.27251000-2499¥58.99632500-4999¥58.6096≥5000¥58.2782
-
品类: MOS管描述: N-沟道 650 V 0.07 Ω 300 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-247-3752610-99¥9.4080100-499¥8.9376500-999¥8.62401000-1999¥8.60832000-4999¥8.54565000-7499¥8.46727500-9999¥8.4045≥10000¥8.3731
-
品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW77N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 69 A, 650 V, 0.033 ohm, 10 V, 4 V51045-24¥4.239025-49¥3.925050-99¥3.7052100-499¥3.6110500-2499¥3.54822500-4999¥3.46975000-9999¥3.4383≥10000¥3.3912
-
品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics23475-49¥31.753850-199¥30.3968200-499¥29.6369500-999¥29.44691000-2499¥29.25692500-4999¥29.03985000-7499¥28.9041≥7500¥28.7684
-
品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics52291-9¥86.054510-99¥82.3130100-249¥81.6395250-499¥81.1157500-999¥80.29261000-2499¥79.91842500-4999¥79.3946≥5000¥78.9457
-
品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics58221-9¥52.826010-99¥49.7950100-249¥47.5434250-499¥47.1970500-999¥46.85061000-2499¥46.46092500-4999¥46.1145≥5000¥45.8980
-
品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics94295-49¥14.519750-199¥13.8992200-499¥13.5517500-999¥13.46491000-2499¥13.37802500-4999¥13.27875000-7499¥13.2167≥7500¥13.1546
-
品类: MOS管描述: N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics15891-9¥76.774010-99¥73.4360100-249¥72.8352250-499¥72.3678500-999¥71.63351000-2499¥71.29972500-4999¥70.8324≥5000¥70.4318